contact_support
substrat de wafer din carbură de siliciu, 10×10 mm, tip 3C‑N, grosime 350 μm, calitate zero
substrat de wafer din carbură de siliciu, 10×10 mm, tip 3C‑N, grosime 350 μm, calitate zero
substrat de wafer din carbură de siliciu, 10×10 mm, tip 3C‑N, grosime 350 μm, calitate zero
substrat de wafer din carbură de siliciu, 10×10 mm, tip 3C‑N, grosime 350 μm, calitate zero
substrat de wafer din carbură de siliciu, 10×10 mm, tip 3C‑N, grosime 350 μm, calitate zero
substrat de wafer din carbură de siliciu, 10×10 mm, tip 3C‑N, grosime 350 μm, calitate zero
  • substrat de wafer din carbură de siliciu, 10×10 mm, tip 3C‑N, grosime 350 μm, calitate zero
  • substrat de wafer din carbură de siliciu, 10×10 mm, tip 3C‑N, grosime 350 μm, calitate zero
  • substrat de wafer din carbură de siliciu, 10×10 mm, tip 3C‑N, grosime 350 μm, calitate zero
  • substrat de wafer din carbură de siliciu, 10×10 mm, tip 3C‑N, grosime 350 μm, calitate zero
  • substrat de wafer din carbură de siliciu, 10×10 mm, tip 3C‑N, grosime 350 μm, calitate zero
  • substrat de wafer din carbură de siliciu, 10×10 mm, tip 3C‑N, grosime 350 μm, calitate zero

substrat de wafer din carbură de siliciu, 10×10 mm, tip 3C‑N, grosime 350 μm, calitate zero

200.40 Lei
Disponibil
Search engine banner

redeem -10% pentru noi clienți cu cod: NEWRO

20 Mai - 27 Mai

Ușor de returnat

remove

1

add
  • lock Plata securizată
  • assignment_return Returnarea se face fără probleme
  • policy Protecția datelor cu caracter personal
  • local_shipping Livrarea produselor în siguranță

Comerciantul acceptă retur la acest produs în perioadă de 14 zile.

Badu acceptă retururile de stocuri achiziționate în termen de 14 zile - începând cu data la care au fost primite *(cu excepția costumelor de baie și a lenjeriei de corp).

Badu nu este responsabil pentru cumpărarea de substrat de wafer din carbură de siliciu, 10×10 mm, tip 3C‑N, grosime 350 μm, calitate zero De la Componente Semiconductoare În afara formularului de comandă.

chevron_left
chevron_right

Specificații produs

  • marcă: Shanghai zhiming
  • caracteristici: Duritate și rezistență ridicată
  • scop: Material semiconductor
  • există mărci private autorizabile: Da
  • specificații: Placă de bază cu safir de carbid de siliciu 10*10 mm tip 3c-n

Descriere produs

  • substrat de wafer din carbură de siliciu, 10×10 mm, tip 3C‑N, grosime 350 μm, calitate zero
  • substrat de wafer din carbură de siliciu, 10×10 mm, tip 3C‑N, grosime 350 μm, calitate zero
  • substrat de wafer din carbură de siliciu, 10×10 mm, tip 3C‑N, grosime 350 μm, calitate zero
  • substrat de wafer din carbură de siliciu, 10×10 mm, tip 3C‑N, grosime 350 μm, calitate zero
  • substrat de wafer din carbură de siliciu, 10×10 mm, tip 3C‑N, grosime 350 μm, calitate zero
  • substrat de wafer din carbură de siliciu, 10×10 mm, tip 3C‑N, grosime 350 μm, calitate zero
  • substrat de wafer din carbură de siliciu, 10×10 mm, tip 3C‑N, grosime 350 μm, calitate zero

schedule Recent vizitat - Componente Semiconductoare

more

more Mai multe de la Unelte

Afișați toate produsele

more Mai multe de la Casă și grădină

Afișați toate produsele