-
Waferi de siliciu cu cupru:
Stratul de cupru pe waferele de siliciu poate fi personalizat pentru fabricația de semiconductoare, folosind tehnologii de depunere în vid precum magnetron sputtering, evaporare cu fascicul de electroni, evaporare termică și CVD.
-
Grosime de film personalizabilă:
Grosimea filmului poate fi ajustată de la 1 nm la 10 mm, cu control de precizie (±5%, uniformitate ≤5%).
-
Dimensiuni și configurații de straturi:
Disponibil în mai multe diametre și configurații de straturi; dimensiuni și grosimi personalizate la cerere.
-
Măsurători de înaltă calitate ale filmului:
Include măsurători de înălțime de pas și rugozime, împreună cu analiză SEM pentru asigurarea calității filmului.
-
Substraturi compatibile:
Susține substraturi precum siliciu, ceramică, sticlă, cuarț și safir.
-
Tehnologii avansate de depunere:
Fabricat cu magnetron sputtering, evaporare cu fascicul de electroni și evaporare termică pentru straturi densice și uniforme.
-
Curățare și pregătire:
Curățare cu plasmă și încălzire integrată îmbunătățesc aderența în vid.
-
Prelucrare personalizată:
Procesare personalizată a materialelor standard sau non-standard, cu specificații complete și facturare disponibilă.




